20KPA32A

20KPA32A MDE Semiconductor Inc


20KPA-Series-RoHs-8-11-2020.pdf Виробник: MDE Semiconductor Inc
Description: TVS DIODE UP 32VRWM 54.3VC
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 372A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 32V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.74V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 54.3V
Power - Peak Pulse: 20000W (20kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+751.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 20KPA32A MDE Semiconductor Inc

Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 20kW; 37.5V; 372A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape, Type of diode: TVS, Case: P600, Mounting: THT, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Peak pulse power dissipation: 20kW, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 32V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 372A, Breakdown voltage: 37.5V, Leakage current: 0.15mA, кількість в упаковці: 800 шт.

Інші пропозиції 20KPA32A за ціною від 683.29 грн до 1090.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
20KPA32A 20KPA32A Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_tvs_diode_20kpa_datasheet.pdf.pdf Description: TVS DIODE 32VWM 54.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 372A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 32V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.74V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 54.3V
Power - Peak Pulse: 20000W (20kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+931.63 грн
10+ 790.08 грн
100+ 683.29 грн
20KPA32A 20KPA32A Виробник : Littelfuse media-3322764.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1090.64 грн
10+ 946.96 грн
25+ 792.95 грн
100+ 712.72 грн
250+ 693.5 грн
20KPA120CA-LF
Код товару: 143230
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
товар відсутній
20KPA32A 20KPA32A Виробник : Littelfuse littelfuse_tvs_diode_20kpa_datasheet.pdf.pdf TVS Diode Single Uni-Dir 32V 20KW 2-Pin Case P-600 T/R
товар відсутній
20KPA32A 20KPA32A Виробник : LITTELFUSE 20KPA_ser.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 20kW; 37.5V; 372A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: P600
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 20kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 372A
Breakdown voltage: 37.5V
Leakage current: 0.15mA
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
20KPA32A 20KPA32A Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_tvs_diode_20kpa_datasheet.pdf.pdf Description: TVS DIODE 32VWM 54.3VC P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 372A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 32V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 35.74V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 54.3V
Power - Peak Pulse: 20000W (20kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
20KPA32A 20KPA32A Виробник : LITTELFUSE 20KPA_ser.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 20kW; 37.5V; 372A; unidirectional; ±5%; P600; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: P600
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Peak pulse power dissipation: 20kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 372A
Breakdown voltage: 37.5V
Leakage current: 0.15mA
товар відсутній