на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1339.51 грн |
10+ | 1184.97 грн |
100+ | 1000.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 20KPA144CA Littelfuse Inc.
Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 168.8V; 87.1A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape, Manufacturer series: 20KPA, Mounting: THT, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Peak pulse power dissipation: 20kW, Case: P600, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 144V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 87.1A, Breakdown voltage: 168.8V, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 20KPA144CA
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
20KPA144CA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
20KPA144CA | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Diode: TVS; 168.8V; 87.1A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape Manufacturer series: 20KPA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Peak pulse power dissipation: 20kW Case: P600 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 144V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 87.1A Breakdown voltage: 168.8V Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
20KPA144CA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
20KPA144CA | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|
20KPA144CA | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
20KPA144CA | Виробник : LITTELFUSE |
![]() Description: Diode: TVS; 168.8V; 87.1A; bidirectional; ±5%; P600; 20kW; reel,tape Manufacturer series: 20KPA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Peak pulse power dissipation: 20kW Case: P600 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 144V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 87.1A Breakdown voltage: 168.8V Leakage current: 2µA |
товару немає в наявності |