2DB1689-7

2DB1689-7 Diodes Incorporated


ds31639.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1689-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2DB1689-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2DB1689-7 2DB1689-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31639-56881.pdf Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT PNP SMT 3K
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2DB1689-7 2DB1689-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012737717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2DB1689-7 2DB1689-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012737717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2DB1689-7 2DB1689-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31639.pdf Description: TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)