Продукція > DIODES INC. > 2DB1689-7

2DB1689-7 DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2DB1689-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2DB1689-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2DB1689-7	Виробник : DIODES INC.	Description: DIODES INC. - 2DB1689-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 300 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2DB1689-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323	на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2DB1689-7	Виробник : Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT PNP SMT 3K	на замовлення 5202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2DB1689-7	Виробник : Diodes Incorporated	Description: TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323	на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.