Технічний опис 2N2605 MOT
Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N2605
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2605 | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 |
товар відсутній |
|
 |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 |
товар відсутній |
|
 |
2N2605 | Виробник : Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 |
товар відсутній |
|
; ; 3.jpg "2N2605") |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товар відсутній |
|
 |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товар відсутній |