Технічний опис 2N2605 MOT
Description: TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-46-3, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N2605
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2N2605 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N2605 | Виробник : Semicoa Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-46-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2N2605 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |