2N5114

2N5114 InterFET


jfet_2n5114_2n5115_2n5116_interfet-2887478.pdf Виробник: InterFET
JFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+942.41 грн
10+ 818.67 грн
25+ 692.57 грн
50+ 653.95 грн
100+ 615.32 грн
250+ 596.01 грн
500+ 558.05 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5114 InterFET

Description: JFET P-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 75 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.

Інші пропозиції 2N5114

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5114 Виробник : MOT 124387-lds-0006 CAN3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114 Виробник : VISHAY 124387-lds-0006
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114 Виробник : Vishay 124387-lds-0006 2002
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114 Виробник : VISHAY 124387-lds-0006 CAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114 2N5114 Виробник : Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5114 2N5114 Виробник : Microchip Technology lds-0006.pdf Trans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5114 2N5114 Виробник : Vishay 70261.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5114 2N5114 Виробник : Microchip Technology 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товар відсутній
2N5114 Виробник : Vishay Siliconix 124387-lds-0006 Description: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114 2N5114 Виробник : Microchip Technology msco_s_a0002835923_1-2275507.pdf JFET JFET
товар відсутній
2N5114 Виробник : Vishay Semiconductors 124387-lds-0006 JFET 30V 10pA
товар відсутній