2N7002DW

2N7002DW ON Semiconductor


2n7002dw-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DW ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 200mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N7002DW за ціною від 5.27 грн до 35.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ON Semiconductor 2n7002dw-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
6000+6.28 грн
9000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : onsemi 2n7002dw-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.52 грн
6000+6.57 грн
9000+6.23 грн
15000+5.49 грн
21000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.80 грн
6000+6.73 грн
9000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 187473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.66 грн
500+9.35 грн
1500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
28+14.76 грн
50+11.15 грн
100+9.92 грн
500+7.63 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 187473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.85 грн
60+14.84 грн
100+11.66 грн
500+9.35 грн
1500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
17+18.39 грн
50+13.38 грн
100+11.91 грн
500+9.15 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 32113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+33.16 грн
20+18.74 грн
100+11.89 грн
500+9.37 грн
1000+8.34 грн
3000+5.83 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : onsemi 2n7002dw-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 23120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.06 грн
17+20.26 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW Виробник : ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.07 грн
39+18.89 грн
100+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW
Код товару: 174754
Додати до обраних Обраний товар

2n7002dw-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.