Продукція > 2N7 > 2N7002DW

2N7002DW


2N7002DW-D.PDF
Код товару: 174754
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N7002DW за ціною від 6.04 грн до 35.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.63 грн
12000+7.54 грн
18000+7.08 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.63 грн
12000+7.54 грн
18000+7.08 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
6000+8.73 грн
9000+8.70 грн
12000+8.22 грн
27000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ON Semiconductor 2n7002dwd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.26 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2N7002DW.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.14 грн
18+23.38 грн
21+20.23 грн
50+14.18 грн
100+12.19 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW ONSEMI 2303978.pdf Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.75 грн
50+20.41 грн
100+13.26 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 36550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
15+19.92 грн
100+12.61 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW onsemi 2N7002DW-D.PDF MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 88257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.28 грн
15+21.23 грн
100+11.71 грн
500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.91 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.11 грн
6000+7.63 грн
12000+7.54 грн
18000+7.08 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.11 грн
6000+7.63 грн
12000+7.54 грн
18000+7.08 грн
30000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.62 грн
6000+8.73 грн
9000+8.70 грн
12000+8.22 грн
27000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2n7002dwd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
66+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2303978.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.26 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+32.14 грн
18+23.38 грн
21+20.23 грн
50+14.18 грн
100+12.19 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2303978.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+33.75 грн
50+20.41 грн
100+13.26 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 36550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.10 грн
15+19.92 грн
100+12.61 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DW 2N7002DW-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 88257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.28 грн
15+21.23 грн
100+11.71 грн
500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.