2N7002DW
Код товару: 174754
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N7002DW за ціною від 6.05 грн до 35.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002DW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N7002DW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002DW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002DW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002DW | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N7002DW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 183781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N7002DW | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Technology: PowerTrench® |
на замовлення 560 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002DW | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 54829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N7002DW | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect |
на замовлення 79949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N7002DW | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |