2DB1132Q-13

2DB1132Q-13 Diodes Incorporated


ds31142-63895.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 1754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 1A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 190MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2DB1132Q-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2DB1132Q-13 2DB1132Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній