2DB1132R-13

2DB1132R-13 Diodes Zetex


ds31142.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 337500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1132R-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2DB1132R-13 за ціною від 6.27 грн до 42.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.01 грн
5000+8.77 грн
7500+8.33 грн
12500+7.36 грн
17500+7.08 грн
25000+6.82 грн
62500+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.49 грн
500+10.68 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.63 грн
13+25.25 грн
100+14.00 грн
500+10.67 грн
1000+9.38 грн
2500+8.22 грн
5000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+41.87 грн
31+25.77 грн
100+16.49 грн
500+10.68 грн
1000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1287638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.82 грн
12+25.48 грн
100+16.29 грн
500+11.56 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.