Продукція > DIODES ZETEX > 2DB1132R-13
2DB1132R-13

2DB1132R-13 Diodes Zetex

ds31142.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 337500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1132R-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2DB1132R-13 за ціною від 6.81 грн до 47.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.86 грн
5000+9.52 грн
7500+9.05 грн
12500+7.99 грн
17500+7.69 грн
25000+7.40 грн
62500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.90 грн
500+11.59 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1132P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1132R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 190MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.45 грн
31+27.97 грн
100+17.90 грн
500+11.59 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 190MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1287638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.48 грн
12+27.65 грн
100+17.69 грн
500+12.54 грн
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1132P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.00 грн
13+28.50 грн
100+15.81 грн
500+12.05 грн
1000+10.59 грн
2500+9.28 грн
5000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 2DB1132R-13 Виробник : Diodes Inc 435ds31142.pdf Trans GP BJT PNP 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1132R-13 Виробник : DIODES INCORPORATED 2DB1132P_Q_R.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 1A; 2W; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 82...390
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 190MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.