Продукція > DIODES ZETEX > 2DB1182Q-13
2DB1182Q-13

2DB1182Q-13 Diodes Zetex

1492db1182q.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1182Q-13 Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 10 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2DB1182Q-13 за ціною від 6.52 грн до 39.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.22 грн
5000+8.08 грн
7500+7.67 грн
12500+6.77 грн
17500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 110MHz
на замовлення 24519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.43 грн
13+23.60 грн
100+15.03 грн
500+10.65 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Verlustleistung: 15
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.22 грн
5000+8.08 грн
7500+7.67 грн
12500+6.77 грн
17500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 110MHz
на замовлення 24519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.43 грн
13+23.60 грн
100+15.03 грн
500+10.65 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DB1182Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DB1182Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Verlustleistung: 15
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.