Продукція > DIODES ZETEX > 2DB1182Q-13
2DB1182Q-13

2DB1182Q-13 Diodes Zetex

1492db1182q.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1182Q-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2DB1182Q-13 за ціною від 7.99 грн до 53.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.12 грн
12+26.72 грн
100+14.88 грн
500+11.21 грн
1000+10.11 грн
2500+8.80 грн
5000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.34 грн
10+31.71 грн
25+26.41 грн
50+21.68 грн
100+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.12 грн
12+26.72 грн
100+14.88 грн
500+11.21 грн
1000+10.11 грн
2500+8.80 грн
5000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q.pdf
2DB1182Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.34 грн
10+31.71 грн
25+26.41 грн
50+21.68 грн
100+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DB1182Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DB1182Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.