Продукція > DIODES ZETEX > 2DB1182Q-13
2DB1182Q-13

2DB1182Q-13 Diodes Zetex

1492db1182q.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1182Q-13 Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 10 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2DB1182Q-13 за ціною від 6.52 грн до 37.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.04 грн
5000+8.34 грн
12500+7.51 грн
25000+6.94 грн
62500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Verlustleistung: 15
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.91 грн
500+14.60 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1182Q.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
13+25.08 грн
100+15.01 грн
500+13.05 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0000181584_1-2541854.pdf Bipolar Transistors - BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.65 грн
13+27.85 грн
100+12.99 грн
1000+9.17 грн
2500+7.56 грн
10000+7.27 грн
25000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000181584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1182Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.71 грн
27+30.71 грн
100+20.91 грн
500+14.60 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : Diodes Inc 1492db1182q.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED 2DB1182Q.pdf 2DB1182Q-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1182Q-13 2DB1182Q-13 Виробник : Diodes Zetex 1492db1182q.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.