Продукція > DIODES INC. > 2DB1184Q-13
2DB1184Q-13

2DB1184Q-13 DIODES INC.

2DB1184Q.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.17 грн
500+16.49 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1184Q-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2DB1184Q-13 за ціною від 13.06 грн до 62.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1184Q.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.70 грн
10+35.93 грн
100+23.31 грн
500+16.77 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31504.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.67 грн
10+37.98 грн
100+21.44 грн
500+16.48 грн
1000+15.15 грн
2500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1184Q.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.08 грн
22+38.78 грн
100+25.17 грн
500+16.49 грн
1000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.