2DB1184Q-13

2DB1184Q-13 Diodes Zetex


306ds31504.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1184Q-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2DB1184Q-13 за ціною від 10.28 грн до 47.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31504.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.21 грн
5000+ 12.07 грн
12500+ 11.21 грн
25000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.52 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31504.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 47433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 32.26 грн
100+ 22.42 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31504.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.35 грн
10+ 36.3 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.18 грн
1000+ 13.92 грн
2500+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DB1184Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.74 грн
20+ 39.29 грн
100+ 26.52 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Inc 306ds31504.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Zetex 306ds31504.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2DB1184Q-13 2DB1184Q-13 Виробник : Diodes Zetex 306ds31504.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній