Технічний опис 2DB1188P-13 Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo.
Інші пропозиції 2DB1188P-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2DB1188P-13 | Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2DB1188P-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)