2DB1188Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.73 грн |
| 10+ | 31.02 грн |
| 25+ | 25.87 грн |
| 50+ | 21.24 грн |
| 100+ | 18.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2DB1188Q-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2DB1188Q-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2DB1188Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)