Продукція > DIODES INCORPORATED > 2DB1188Q-13
2DB1188Q-13

2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

2DB1188P_Q_R.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.20 грн
12+28.06 грн
100+15.62 грн
500+11.92 грн
1000+10.67 грн
2500+8.72 грн
5000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2DB1188Q-13 за ціною від 11.66 грн до 47.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.85 грн
11+28.48 грн
100+18.27 грн
500+13.00 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.