2DB1188Q-13 Diodes Incorporated


2DB1188P_Q_R.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.60 грн
12+28.31 грн
100+15.75 грн
500+12.03 грн
1000+10.76 грн
2500+8.79 грн
5000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA.

Інші пропозиції 2DB1188Q-13 за ціною від 11.76 грн до 48.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1188Q-13 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.43 грн
500+13.11 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188Q-13 2DB1188P_Q_R.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.43 грн
500+13.11 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.