2DB1188Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.71 грн |
| 11+ | 28.39 грн |
| 100+ | 18.22 грн |
| 500+ | 12.96 грн |
| 1000+ | 11.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2DB1188Q-13 Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA.
Інші пропозиції 2DB1188Q-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2DB1188Q-13 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2DB1188Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)