Продукція > DIODES INCORPORATED > 2DB1188R-13
2DB1188R-13

2DB1188R-13 Diodes Incorporated

2DB1188P_Q_R.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 337500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.90 грн
5000+10.45 грн
7500+9.93 грн
12500+8.78 грн
17500+8.46 грн
25000+8.15 грн
62500+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DB1188R-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2DB1188R-13 за ціною від 8.48 грн до 50.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1188P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.90 грн
500+12.81 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : DIODES INC. 2DB1188P_Q_R.pdf Description: DIODES INC. - 2DB1188R-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.58 грн
34+25.79 грн
100+17.90 грн
500+12.81 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 338895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.39 грн
11+29.99 грн
100+19.24 грн
500+13.69 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188R-13 2DB1188R-13 Виробник : Diodes Incorporated 2DB1188P_Q_R.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.61 грн
12+30.74 грн
100+17.11 грн
500+13.06 грн
1000+11.68 грн
2500+9.16 грн
5000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2DB1188R-13 Виробник : DIODES INCORPORATED 2DB1188P_Q_R.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Pulsed collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 180...390
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.