2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.94 грн |
| 6000+ | 2.56 грн |
| 15000+ | 2.22 грн |
| 30000+ | 1.88 грн |
| 75000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2DC4617QLP-7 за ціною від 1.70 грн до 16.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFNFrequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 |
на замовлення 98137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2DC4617QLP-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 250mW 50V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2DC4617QLP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2DC4617QLP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2DC4617QLP-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 2DC4617QLP-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 2DC4617QLP-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
на замовлення 98137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.24 грн |
| 21+ | 14.59 грн |
| 100+ | 7.95 грн |
| 500+ | 4.59 грн |
| 1000+ | 3.13 грн |
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 250mW 50V
Bipolar Transistors - BJT 250mW 50V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 1.70 грн |
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.96 грн |
| 2DC4617QLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




