2DD1664Q-13 Diodes Zetex
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 8.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2DD1664Q-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2DD1664Q-13 за ціною від 6.08 грн до 40.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2DD1664Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2DD1664Q-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2DD1664Q-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2DD1664Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2DD1664Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo |
на замовлення 7857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2DD1664Q-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
2DD1664Q-13 NPN SMD transistors |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
2DD1664Q-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2DD1664Q-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2DD1664Q-13 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |