2DD1664R-13 Diodes Zetex


ds31143.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 32V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 782500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DD1664R-13 Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 280MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2DD1664R-13 за ціною від 9.76 грн до 49.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2DD1664R-13 2DD1664R-13 Diodes Incorporated ds31143.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 787500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.71 грн
7500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DD1664R-13 2DD1664R-13 Diodes Incorporated ds31143.pdf Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 789899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.84 грн
11+29.86 грн
25+24.84 грн
50+20.38 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DD1664R-13 2DD1664R-13 Diodes Incorporated ds31143.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2DD1664R-13 ds31143.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 787500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.71 грн
7500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DD1664R-13 ds31143.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 32V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 789899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.84 грн
11+29.86 грн
25+24.84 грн
50+20.38 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2DD1664R-13 ds31143.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1000W 32Vceo
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.