Інші пропозиції 2ED020I12-FI за ціною від 126.80 грн до 315.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED020I12-FI | Виробник : Infineon Technologies |
 Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 15823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2ED020I12-FI | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-18 Output current: -2...1A Number of channels: 2 Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 0...5V; 14...18V Voltage class: 1.2kV Protection: undervoltage UVP |
на замовлення 309 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|