2ED21064S06JXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 307+ | 39.75 грн |
| 325+ | 37.53 грн |
| 328+ | 37.15 грн |
| 331+ | 35.47 грн |
| 335+ | 31.19 грн |
| 500+ | 31.17 грн |
| 1000+ | 31.16 грн |
| 3000+ | 31.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED21064S06JXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED21064S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 14Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 2ED21064S06JXUMA1 за ціною від 28.93 грн до 121.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21064S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 9947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21064S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V Supplier Device Package: PG-DSO-14 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| 2ED21064S06JXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
2ED21064S06JXUMA1 MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |