2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2106S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 2ED2106S06FXUMA1 за ціною від 34.99 грн до 91.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 187500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-69 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Mounting: SMD Case: PG-DSO-8 Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Voltage class: 650V Supply voltage: 10...20V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality |
товару немає в наявності |