2ED2106S06FXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.65 грн |
| 250+ | 42.98 грн |
| 500+ | 41.24 грн |
| 1000+ | 34.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2106S06FXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2ED2106S06FXUMA1 за ціною від 34.01 грн до 92.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-69 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2106S06FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 0.29A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: CMOS, TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-69 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side, Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2ED2106S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Number of channels: 2 Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 10...20V Voltage class: 650V Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |