Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 2ED2108S06FXUMA1
2ED2108S06FXUMA1

2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-irs2183-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.02 грн
5000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2ED2108S06FXUMA1 за ціною від 41.39 грн до 6618.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-irs2183-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.24 грн
10+63.06 грн
25+57.13 грн
100+47.48 грн
250+44.54 грн
500+42.77 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-irs2183-datasheet-en.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+97.27 грн
10+69.97 грн
25+54.92 грн
100+48.56 грн
250+45.56 грн
500+43.81 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 INFINEON infineon-irs2183-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 INFINEON 2876191.pdf Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.85 грн
102+140.39 грн
117+122.23 грн
200+112.97 грн
1000+95.74 грн
2000+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.03 грн
102+139.62 грн
107+134.00 грн
120+115.03 грн
250+101.62 грн
500+88.06 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.67 грн
10+174.30 грн
100+142.10 грн
500+116.01 грн
1000+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6618.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6618.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-irs2183-datasheet-en.pdf
2ED2108S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.24 грн
10+63.06 грн
25+57.13 грн
100+47.48 грн
250+44.54 грн
500+42.77 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-irs2183-datasheet-en.pdf
2ED2108S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.27 грн
10+69.97 грн
25+54.92 грн
100+48.56 грн
250+45.56 грн
500+43.81 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-irs2183-datasheet-en.pdf
2ED2108S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2876191.pdf
2ED2108S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.85 грн
102+140.39 грн
117+122.23 грн
200+112.97 грн
1000+95.74 грн
2000+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+150.03 грн
102+139.62 грн
107+134.00 грн
120+115.03 грн
250+101.62 грн
500+88.06 грн
1000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.67 грн
10+174.30 грн
100+142.10 грн
500+116.01 грн
1000+92.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6618.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6618.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.