2ED2108S06FXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.63 грн |
| 250+ | 31.90 грн |
| 500+ | 31.83 грн |
| 1000+ | 31.76 грн |
| 2500+ | 31.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2108S06FXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 2ED2108S06FXUMA1 за ціною від 31.69 грн до 5658.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 10585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
2ED2108S06FXUMA1 MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |