2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2ED2108S06FXUMA1 за ціною від 35.96 грн до 6530.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICDigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 1 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 12186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2ED2108S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.82 грн |
| 10+ | 56.11 грн |
| 25+ | 50.73 грн |
| 100+ | 42.08 грн |
| 250+ | 39.45 грн |
| 500+ | 37.86 грн |
| 1000+ | 35.96 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 85.43 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 96+ | 146.88 грн |
| 102+ | 138.52 грн |
| 117+ | 120.61 грн |
| 200+ | 111.47 грн |
| 1000+ | 94.47 грн |
| 2000+ | 86.19 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 148.04 грн |
| 102+ | 137.76 грн |
| 107+ | 132.22 грн |
| 120+ | 113.51 грн |
| 250+ | 100.27 грн |
| 500+ | 86.90 грн |
| 1000+ | 70.63 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 200.97 грн |
| 10+ | 171.99 грн |
| 100+ | 140.21 грн |
| 500+ | 114.47 грн |
| 1000+ | 90.97 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6530.91 грн |
| 2ED2108S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 6530.91 грн |




