2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2ED2108S06FXUMA1 за ціною від 34.08 грн до 6325.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 10585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 12186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2ED2108S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode |
товару немає в наявності |