2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2ED2108S06FXUMA1 за ціною від 35.96 грн до 6530.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
10+56.11 грн
25+50.73 грн
100+42.08 грн
250+39.45 грн
500+37.86 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon_2ED2108_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 INFINEON 2876191.pdf Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+146.88 грн
102+138.52 грн
117+120.61 грн
200+111.47 грн
1000+94.47 грн
2000+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.04 грн
102+137.76 грн
107+132.22 грн
120+113.51 грн
250+100.27 грн
500+86.90 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.97 грн
10+171.99 грн
100+140.21 грн
500+114.47 грн
1000+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6530.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6530.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.82 грн
10+56.11 грн
25+50.73 грн
100+42.08 грн
250+39.45 грн
500+37.86 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon_2ED2108_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 Infineon-2ED2108-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d752c029ef
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 2876191.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2108S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+146.88 грн
102+138.52 грн
117+120.61 грн
200+111.47 грн
1000+94.47 грн
2000+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+148.04 грн
102+137.76 грн
107+132.22 грн
120+113.51 грн
250+100.27 грн
500+86.90 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+200.97 грн
10+171.99 грн
100+140.21 грн
500+114.47 грн
1000+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6530.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2108S06FXUMA1 infineon-2ed2108-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6530.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.