2ED2109S06FXUMA1

2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2ED2109S06FXUMA1 за ціною від 38.49 грн до 178.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.13 грн
250+45.11 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.51 грн
10+60.06 грн
25+54.30 грн
100+45.05 грн
250+42.23 грн
500+40.53 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.55 грн
13+70.15 грн
50+63.40 грн
100+52.13 грн
250+45.11 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_2ED2109_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN-3360494.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.74 грн
10+86.36 грн
100+67.94 грн
250+65.35 грн
500+60.55 грн
1000+55.52 грн
2500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.28 грн
139+87.90 грн
141+87.03 грн
149+78.97 грн
250+72.39 грн
500+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+119.10 грн
107+115.06 грн
250+111.57 грн
500+104.66 грн
1000+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+178.30 грн
10+152.21 грн
100+121.77 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb 2ED2109S06FXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.