Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 2ED2109S06FXUMA1
2ED2109S06FXUMA1

2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.90 грн
5000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2ED2109S06FXUMA1 за ціною від 43.84 грн до 199.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.18 грн
10+68.62 грн
25+62.19 грн
100+51.66 грн
250+48.47 грн
500+46.54 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 445 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+100.72 грн
10+72.52 грн
25+57.06 грн
100+50.45 грн
250+47.30 грн
500+45.42 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+121.33 грн
139+105.30 грн
141+104.25 грн
149+94.60 грн
250+86.71 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+142.67 грн
107+137.83 грн
250+133.65 грн
500+125.37 грн
1000+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.35 грн
10+170.18 грн
100+136.14 грн
500+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.18 грн
10+68.62 грн
25+62.19 грн
100+51.66 грн
250+48.47 грн
500+46.54 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
на замовлення 445 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.72 грн
10+72.52 грн
25+57.06 грн
100+50.45 грн
250+47.30 грн
500+45.42 грн
1000+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2106-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+121.33 грн
139+105.30 грн
141+104.25 грн
149+94.60 грн
250+86.71 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+142.67 грн
107+137.83 грн
250+133.65 грн
500+125.37 грн
1000+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+199.35 грн
10+170.18 грн
100+136.14 грн
500+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.