2ED2181S06FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDriver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 118+ | 104.62 грн |
| 130+ | 94.81 грн |
| 145+ | 85.00 грн |
| 500+ | 80.39 грн |
| 2000+ | 66.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2181S06FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2ED2181S06FXUMA1 за ціною від 64.92 грн до 235.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 10021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2181S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2.5A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
2ED2181S06FXUMA1 MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
2ED2181S06FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V Supplier Device Package: PG-DSO-8-53 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |