Продукція > INFINEON > 2ED2182S06FXUMA1
2ED2182S06FXUMA1

2ED2182S06FXUMA1 INFINEON

2876195.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.98 грн
250+67.96 грн
500+65.20 грн
1000+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2182S06FXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.5A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 200ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції 2ED2182S06FXUMA1 за ціною від 63.16 грн до 148.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf High Current Half-Bridge Gate Driver IC
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+99.81 грн
123+99.20 грн
127+96.05 грн
500+92.53 грн
1000+85.49 грн
2000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
10+94.80 грн
25+86.23 грн
100+72.12 грн
250+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.78 грн
10+94.68 грн
50+89.74 грн
100+77.98 грн
250+67.96 грн
500+65.20 грн
1000+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_2ED2182_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN-3360466.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.98 грн
10+98.75 грн
100+76.33 грн
250+71.85 грн
500+68.91 грн
1000+66.71 грн
2500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf High Current Half-Bridge Gate Driver IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf High Current Half-Bridge Gate Driver IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf SP003244532
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 650V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.