Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 2ED2304S06FXLLA1

2ED2304S06FXLLA1 Infineon Technologies

Infineon-2ED2304S06F-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d5356ddb3158
Виробник: Infineon Technologies
LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+89.03 грн
500+80.14 грн
1000+73.90 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2304S06FXLLA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V, Input Type: CMOS, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V, Supplier Device Package: PG-DSO-8-910, Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 360mA, 700mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції 2ED2304S06FXLLA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2ED2304S06FXLLA1 2ED2304S06FXLLA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2304S06F-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d5356ddb3158 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: CMOS
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-910
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 360mA, 700mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2304S06FXLLA1 2ED2304S06FXLLA1 Infineon Technologies Infineon_2ED2304S06F_DataSheet_v02_09_EN-1622361.pdf Gate Drivers 650V half-bridge 0.7A,integrated BSD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2304S06FXLLA1 2ED2304S06FXLLA1 INFINEON INFN-S-A0006145433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED2304S06FXLLA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 310
Ausgabeverzögerung: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2304S06FXLLA1 Infineon-2ED2304S06F-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164d5356ddb3158
2ED2304S06FXLLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: CMOS
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-910
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 360mA, 700mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2304S06FXLLA1 Infineon_2ED2304S06F_DataSheet_v02_09_EN-1622361.pdf
2ED2304S06FXLLA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 650V half-bridge 0.7A,integrated BSD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2304S06FXLLA1 INFN-S-A0006145433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED2304S06FXLLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2304S06FXLLA1 - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 310
Ausgabeverzögerung: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.