2ED2778S01GXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE VSON-10
Packaging: Box
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 140 V
Supplier Device Package: PG-VSON-10-5
Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.60 грн |
| 10+ | 117.82 грн |
| 25+ | 107.63 грн |
| 100+ | 90.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2778S01GXTMA1 Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE VSON-10, Packaging: Box, Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 7V ~ 18V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 140 V, Supplier Device Package: PG-VSON-10-5, Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 12ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A.
Інші пропозиції 2ED2778S01GXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2ED2778S01GXTMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2ED2778S01GXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)