2EDF7175FXUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 91.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDF7175FXUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: NSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2EDF7175FXUMA2 за ціною від 87.81 грн до 256.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: NSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-11 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2EDF7175FXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товару немає в наявності |