Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 2EDL5013U2DXTMA1
2EDL5013U2DXTMA1

2EDL5013U2DXTMA1 Infineon Technologies

DS_2EDL50x3U2D_2_2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V
Supplier Device Package: PG-TSNP-12-5
Rise / Fall Time (Typ): 4.4ns, 3.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.15 грн
10+86.56 грн
25+78.65 грн
100+65.67 грн
250+61.78 грн
500+59.44 грн
1000+56.57 грн
2500+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2EDL5013U2DXTMA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-UFQFN, Supplier Device Package: PG-TSNP-12-5, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V, Rise / Fall Time (Typ): 4.4ns, 3.5ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side, Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel), Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A.

Інші пропозиції 2EDL5013U2DXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_2EDL50x3U2D_2_2.pdf Description: IC GATE DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN
Supplier Device Package: PG-TSNP-12-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V
Rise / Fall Time (Typ): 4.4ns, 3.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL5013U2DXTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_2EDL50x3U2D_2_2.pdf Optically Isolated Gate Drivers DRIVER IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.