Інші пропозиції 2EDL8123G3CXTMA1 за ціною від 34.59 грн до 93.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 17V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDL8123G3CXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), VSON-EP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON-EP Eingang: TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDL8123G3CXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), VSON-EP Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON-EP Eingang: TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 17V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |