2EDL8123G3CXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDriver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 453+ | 67.23 грн |
| 500+ | 64.37 грн |
| 1000+ | 60.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDL8123G3CXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDL8123G3CXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), VSON-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VSON-EP, Eingang: TTL, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 2EDL8123G3CXTMA1 за ціною від 34.86 грн до 115.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 17V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDL8123G3CXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), VSON-EP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON-EP Eingang: TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDL8123G3CXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), VSON-EP Sinkstrom: 6A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON-EP Eingang: TTL usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2EDL8123G3CXTMA1 Код товару: 192983
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 3A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDL8123G3CXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 17V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 120 V Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 45ns, 45ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |