
2EDN7523FXTMA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
765+ | 29.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDN7523FXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDN7523FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 5A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DSO, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 19ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2EDN7523FXTMA1 за ціною від 24.20 грн до 55.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: Invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
2EDN7523FXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |