2EDN7524GXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-WSON-8-1
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 34.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDN7524GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 5A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSON, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 17ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2EDN7524GXTMA1 за ціною від 26.77 грн до 76.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSON Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 17ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers GATE DRIVER |
на замовлення 18728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDN7524GXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), WSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 5A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 17ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-8-1 Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V |
на замовлення 7966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2EDN7524GXTMA1 (Infineon, PG-WSON-8-3) MOSFET драйвер Код товару: 150215
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Драйвери двигунів |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDN7524GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |