Продукція > INFINEON > 2EDR8259HXUMA1
2EDR8259HXUMA1

2EDR8259HXUMA1 INFINEON

4098592.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2EDR8259HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Logik, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 38ns, Ausgabeverzögerung: 36ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2EDR8259HXUMA1 за ціною від 71.19 грн до 170.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.07 грн
10+106.06 грн
25+96.73 грн
100+81.11 грн
250+76.50 грн
500+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDR8259H-DataSheet-v01_05-EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+116.72 грн
25+90.22 грн
100+83.17 грн
250+78.24 грн
500+75.42 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 INFINEON 4098592.pdf Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
10+125.81 грн
50+115.12 грн
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16 Description: DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR8259HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.07 грн
10+106.06 грн
25+96.73 грн
100+81.11 грн
250+76.50 грн
500+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 Infineon-2EDR8259H-DataSheet-v01_05-EN.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.53 грн
10+116.72 грн
25+90.22 грн
100+83.17 грн
250+78.24 грн
500+75.42 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 4098592.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
10+125.81 грн
50+115.12 грн
100+95.45 грн
250+83.87 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
2500+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 Infineon-2EDR7259X-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c38e410185c577a0331b16
2EDR8259HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.