2EDR8259HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 5.7KV 2CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Part Status: Active
Number of Channels: 2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.87 грн |
| 10+ | 114.52 грн |
| 25+ | 104.51 грн |
| 100+ | 87.79 грн |
| 250+ | 82.87 грн |
| 500+ | 80.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDR8259HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Logik, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 38ns, Ausgabeverzögerung: 36ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2EDR8259HXUMA1 за ціною від 148.12 грн до 279.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDR8259HXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R |
на замовлення 79500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2EDR8259HXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2EDR8259HXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2EDR8259HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
2EDR8259HXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
2EDR8259HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 36ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 217.00 грн |
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 279.29 грн |
| 10+ | 251.66 грн |
| 25+ | 248.29 грн |
| 100+ | 215.76 грн |
| 250+ | 191.17 грн |
| 500+ | 168.67 грн |
| 1000+ | 148.12 грн |
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 279.29 грн |
| 56+ | 251.66 грн |
| 57+ | 248.29 грн |
| 100+ | 215.76 грн |
| 250+ | 191.17 грн |
| 500+ | 168.67 грн |
| 1000+ | 148.12 грн |
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2EDR8259HXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)