2EDS8265HXUMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 163.88 грн |
| 250+ | 154.86 грн |
| 500+ | 150.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDS8265HXUMA2 INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 37ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2EDS8265HXUMA2 за ціною від 126.66 грн до 352.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers GATE DRIVER |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
2EDS8265HXUMA2 Код товару: 171725
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2EDS8265HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |