2EDS8265HXUMA2


Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
Код товару: 171725
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2EDS8265HXUMA2 за ціною від 125.81 грн до 395.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.62 грн
10+172.78 грн
25+158.56 грн
100+134.13 грн
250+127.14 грн
500+125.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies infineon-2eds8265h-datasheet-v02_08-en.pdf Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.71 грн
42+336.01 грн
56+255.22 грн
100+244.98 грн
200+214.29 грн
500+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 Infineon Technologies Infineon_2EDS8265H_DataSheet_v02_08_EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.62 грн
10+172.78 грн
25+158.56 грн
100+134.13 грн
250+127.14 грн
500+125.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 infineon-2eds8265h-datasheet-v02_08-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+395.71 грн
42+336.01 грн
56+255.22 грн
100+244.98 грн
200+214.29 грн
500+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 Infineon_2EDS8265H_DataSheet_v02_08_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2921642.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2921642.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.