2MBI200S-120
Код товару: 34633
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 5,5...8,5 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 300 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 200 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 1500 Вт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2MBI200S-120
- IGBT MODULE, 1200V, 200A
- Transistor Type:IGBT Module
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:300A
- Max Voltage Vce Sat:2.6V
- Power Dissipation:1500W
- Case Style:M234
- Termination Type:Screw
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Ic @ Vce Sat:200A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:62mm
- External Length / Height:30mm
- External Width:108mm
- Fall Time Tf:300ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:1500W
- Pulsed Current Icm:600A
- Rise Time:600ns
- Weight:0.18kg
Інші пропозиції 2MBI200S-120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2MBI200S-120 | module |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2MBI200S120 | FUJI | MODULE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2MBI200S-120 | |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2MBI200S120 |
Виробник: FUJI
MODULE
MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)