2MBI200S-120 Fuji
Код товару: 34633
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fuji
Корпус: 2 in one-package
Vces: 1200 V
Vce: 5,5...8,5 V
Ic 25: 300 A
Ic 100: 200 A
Pd 25: 1500 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,35/0,45
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2MBI200S-120 Fuji
- IGBT MODULE, 1200V, 200A
- Transistor Type:IGBT Module
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:300A
- Max Voltage Vce Sat:2.6V
- Power Dissipation:1500W
- Case Style:M234
- Termination Type:Screw
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Ic @ Vce Sat:200A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:62mm
- External Length / Height:30mm
- External Width:108mm
- Fall Time Tf:300ns
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Isolation voltage:2500V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:1500W
- Pulsed Current Icm:600A
- Rise Time:600ns
- Weight:0.18kg
Інші пропозиції 2MBI200S-120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2MBI200S-120 | Виробник : module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| 2MBI200S120 | Виробник : FUJI | MODULE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |