Технічний опис 2N1483 MOT
Description: TRANS NPN 40V 3A TO8, Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-8, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 750mA, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 15µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.20V @ 75mA, 750A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N1483
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N1483 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO8Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-8 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 750mA, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 15µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.20V @ 75mA, 750A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
2N1483 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N1483 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 40V 3A TO8
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-8
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 750mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.20V @ 75mA, 750A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 40V 3A TO8
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-8
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 750mA, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 15µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.20V @ 75mA, 750A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N1483 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.



