на замовлення 5 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1620.84 грн |
| 250+ | 1483.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1613L Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N1613L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N1613L | Виробник : MOT |
 CAN |
на замовлення 853 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N1613L | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N1613L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |