2N1711 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 500MA 800MW TH TRANSISTOR-SMALL
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 70MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1711 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 500MA 800MW TH TRANSISTOR-SMALL, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 70MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N1711 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N1711 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 50Vceo 7.0Vebo 25pF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N1711 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 50Vceo 7.0Vebo 25pF
Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 50Vceo 7.0Vebo 25pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.