2N1711S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 75V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1998.34 грн |
| 100+ | 1829.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N1711S Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N1711S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N1711S | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N1711S | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |