Продукція > MULTICOMP PRO > 2N1893
2N1893

2N1893 MULTICOMP PRO

2N1893.pdf SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N720A.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.79 грн
10+151.64 грн
100+118.22 грн
500+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N1893 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N1893 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N1893 за ціною від 2122.24 грн до 2757.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N1893 2N1893 Виробник : Harris Corporation SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15A, 150A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2122.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 Виробник : HARRIS 2N1893.pdf SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N720A.pdf 2N1893
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+2757.52 грн
100+2619.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 Виробник : HARRIS 2N1893.pdf SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N720A.pdf 2N1893
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+2757.52 грн
100+2619.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 Виробник : Centralsemi 2n1613%2C2n1711%2C2n1893.pdf TO-39 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 2N1893 Виробник : STMicroelectronics 2N1893.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-39
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 2N1893 Виробник : Microchip Technology 2N720A.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 2N1893 Виробник : Microchip Technology 2N720A_2N1893_2N1893S_MIL_PRF_19500_182.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 500mA 800mW NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 2N1893 Виробник : STMicroelectronics 2N1893.pdf SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N720A.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N1893 Виробник : Vishay Semiconductors 2N1893.pdf SESES00492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N720A.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.