2N2218A Microchip Technology
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 704.57 грн |
| 100+ | 644.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2218A Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N2218A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2218A | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N2218A | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
2N2218A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
|
2N2218A | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|
|
2N2218A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N2218A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |


