2N2219A CDIL
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.8A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.69 грн |
| 10+ | 43.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2219A CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N2219A за ціною від 23.54 грн до 744.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2219A | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N2219A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N2219A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N2219A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N2219A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N2219A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFEtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N2219A | CDIL |
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219aкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.95 грн |
| 100+ | 407.75 грн |
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 629.77 грн |
| 100+ | 574.08 грн |
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 629.77 грн |
| 100+ | 574.08 грн |
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 744.89 грн |
| 25+ | 737.15 грн |
| 50+ | 734.93 грн |
| 100+ | 667.06 грн |
| 250+ | 592.94 грн |
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2219A |
![]() |
Виробник: CDIL
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 23.54 грн |






