2N2219A CDIL
Виробник: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 69.37 грн |
| 9+ | 45.17 грн |
| 30+ | 27.04 грн |
| 47+ | 20.12 грн |
| 129+ | 19.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2219A CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N2219A за ціною від 22.81 грн до 827.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N2219A | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39 Case: TO39 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/3W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N2219A | Виробник : CDIL |
BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2N2219A | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Rectron |
O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2219A | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N2219A | Виробник : Rectron |
O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
товару немає в наявності |