Технічний опис 2N2221A MOT
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2221A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2221A | Виробник : ST |
 |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N2221A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2221A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2221A | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2N2221A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
||
| 2N2221A | Виробник : onsemi |
onsemi |
товару немає в наявності |
||
 |
2N2221A | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |