Технічний опис 2N2222 PBFREE Central Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2222 PBFREE за ціною від 61.80 грн до 236.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
 Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N2222 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.03 грн |
| 10+ | 141.76 грн |
| 100+ | 98.33 грн |
| 500+ | 74.84 грн |
| 1000+ | 69.23 грн |
| 2N2222 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.25 грн |
| 10+ | 146.15 грн |
| 100+ | 91.47 грн |
| 500+ | 74.72 грн |
| 1000+ | 68.43 грн |
| 2000+ | 63.68 грн |
| 4000+ | 61.80 грн |
| 2N2222 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)