2N2222 TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.86 грн |
| 10+ | 171.89 грн |
| 100+ | 117.01 грн |
| 500+ | 98.14 грн |
| 1000+ | 90.59 грн |
| 2000+ | 77.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2222 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 30V 800MA 400MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-18, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2222 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2222 TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 30V 800MA 400MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-18 Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |