Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR > 2N2222A TIN/LEAD
2N2222A TIN/LEAD

2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor


Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+258.25 грн
10+166.22 грн
100+113.82 грн
500+94.97 грн
1000+81.70 грн
2000+77.51 грн
10000+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-18, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N2222A TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N2222A TIN/LEAD 2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor 2n2221a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Description: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-18
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A TIN/LEAD 2n2221a.pdf
2N2222A TIN/LEAD
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222A TIN/LEAD
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-18
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.