2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.58 грн |
| 10+ | 181.90 грн |
| 100+ | 128.74 грн |
| 2000+ | 108.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2222A TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2222A TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2222A TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2222A TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 40V 800MA 500MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |