Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N2222A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222A Код товару: 213005
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Semtech |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
очікується: 4000 шт
|
|
| 2N2222A Код товару: 213005
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Semtech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20 грн |
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
Інші пропозиції 2N2222A за ціною від 0.79 грн до 266.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Type of transistor: NPN Case: TO92 Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 33918 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | DIOTEC |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIOкількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 6090 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 33818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 40V 600MA NPN TO-92Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 93407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN |
на замовлення 25797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: NPN Case: TO18 Power dissipation: 0.5/1.2W Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 40...120 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 5340 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 250536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 18163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics |
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3638 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N2222A | MICROSEMI |
TO-18NPN Transistor 2N2222Aкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.29 грн |
| 12000+ | 2.18 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 262.05 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 266.87 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 33918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 5.43 грн |
| 87+ | 4.88 грн |
| 91+ | 4.62 грн |
| 109+ | 3.86 грн |
| 500+ | 2.67 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 4000+ | 1.86 грн |
| 8000+ | 1.70 грн |
| 12000+ | 1.63 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 1.29 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.26 грн |
| 8000+ | 1.94 грн |
| 12000+ | 1.82 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 33818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3261+ | 4.35 грн |
| 4214+ | 3.36 грн |
| 8000+ | 3.01 грн |
| 12000+ | 2.73 грн |
| 24000+ | 2.36 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 93407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 7.07 грн |
| 71+ | 4.31 грн |
| 113+ | 2.68 грн |
| 500+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.57 грн |
| 2000+ | 1.38 грн |
| 5000+ | 1.15 грн |
| 10000+ | 1.02 грн |
| 50000+ | 0.79 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.43 грн |
| 8000+ | 7.41 грн |
| 12000+ | 7.05 грн |
| 20000+ | 6.24 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.64 грн |
| 60+ | 5.07 грн |
| 104+ | 2.92 грн |
| 500+ | 2.13 грн |
| 1000+ | 1.82 грн |
| 2000+ | 1.65 грн |
| 3000+ | 1.53 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 25797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.51 грн |
| 44+ | 7.47 грн |
| 100+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.33 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 4000+ | 2.79 грн |
| 8000+ | 1.89 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 10.92 грн |
| 104+ | 7.87 грн |
| 125+ | 6.56 грн |
| 500+ | 4.87 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.78 грн |
| 44+ | 7.04 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 500+ | 2.97 грн |
| 1000+ | 2.61 грн |
| 2000+ | 2.30 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.94 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.94 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.92 грн |
| 14+ | 22.09 грн |
| 100+ | 14.06 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| 1000+ | 8.89 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO18
Power dissipation: 0.5/1.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...120
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Case: TO18
Power dissipation: 0.5/1.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...120
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 54.31 грн |
| 12+ | 35.47 грн |
| 30+ | 21.18 грн |
| 100+ | 19.08 грн |
| 500+ | 17.06 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 250536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 76.09 грн |
| 20+ | 41.06 грн |
| 100+ | 30.39 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| 1000+ | 19.27 грн |
| 5000+ | 17.25 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 18163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.85 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.98 грн |















