2N2222A Semtech
Код товару: 213005
Виробник: SemtechКорпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності 3317 шт:
3317 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N2222A Semtech
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 442 шт
52 шт - РАДІОМАГ-Київ
223 шт - РАДІОМАГ-Львів 167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції 2N2222A за ціною від 0.94 грн до 241.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 442 шт
52 шт - РАДІОМАГ-Київ
223 шт - РАДІОМАГ-Львів 167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A (TO-18) (транзистор біполярный NPN) Код товару: 105921
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-18 Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
на замовлення 39778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39778 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 39938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 15320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN |
на замовлення 27642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 130135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 12861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : SLKOR |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : DIOTEC |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIOкількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : DIOTEC |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIOкількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : Diotec |
Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 |
на замовлення 341 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : MICROSEMI |
TO-18NPN Transistor 2N2222Aкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Rectron |
Trans RF BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-18 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 800mA; 500mW; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Case: TO18 Mounting: THT Frequency: 250MHz Power: 0.5W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Semelab / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Optek Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 40V 600MA NPN TO-92Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| 2N2222A | Виробник : Good-Ark |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
2N2222A | Виробник : Rectron |
Trans RF BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |

















