2N2222AUB Microchip Technology
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 368.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2222AUB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-LCC, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: Ceramic SMD, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції 2N2222AUB за ціною від 342.80 грн до 3763.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 5071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2222AUB | Виробник : Optek / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2222AUB | Виробник : TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2222AUB | Виробник : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N2222AUB | Виробник : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N2222AUB | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N2222AUB | Виробник : MICROSEMI |
TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |