Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N2222AUB
2N2222AUB

2N2222AUB Microchip Technology

2N2221A_2N2222A_00005314A_MIL_PRF_19500_255-3442193.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.91 грн
10+449.52 грн
100+363.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2222AUB Microchip Technology

Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-LCC, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: Ceramic SMD, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції 2N2222AUB за ціною від 2209.14 грн до 3574.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : TT Electronics/Optek Technology 2N2222AUB.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2484.75 грн
100+2209.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Optek / TT Electronics 2N2222AUB-3135297.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2957.17 грн
270+2857.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Optek Technology (TT electronics) 2n2222aub.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3574.05 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Microchip Technology lds-0060.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Optek Technology (TT electronics) 2n2222aub.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Optek Technology 2n2222aub.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Microchip Technology 2n22212n2222aalauaabmil-prf-19500_255.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB Виробник : MICROSEMI 2N2221A%2C%202N2222A.pdf 2N2222AUB.pdf TO18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB 2N2222AUB Виробник : Microchip Technology 2N2221A%2C%202N2222A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.